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磨拋盤(pán)

磨拋盤(pán)

○ 進(jìn)口德國(guó)單面磨拋設(shè)備用安卡研磨盤(pán)可以加工拋光液各種晶圓襯底,其平面度可以達(dá)到3/4光圈,粗糙度可以達(dá)到0.3納米的光學(xué)級(jí)水平。
○ 采用日本雙面磨可以減薄晶圓襯底,封裝后芯片等產(chǎn)品。晶圓最薄值100納米。

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○ 進(jìn)口德國(guó)單面磨拋設(shè)備用安卡研磨盤(pán)可以加工拋光液各種晶圓襯底,其平面度可以達(dá)到3/4光圈,粗糙度可以達(dá)到0.3納米的光學(xué)級(jí)水平。
○ 采用日本雙面磨可以減薄晶圓襯底,封裝后芯片等產(chǎn)品。晶圓最薄值100納米。

○ 高分子研磨盤(pán)/高分子拋光盤(pán)
硅晶圓
氮化硅、碳化硅、襯底
藍(lán)寶石
光學(xué)微晶玻璃

○ 超軟光學(xué)玻璃/超軟金屬研拋
本公司已成功攜手國(guó)內(nèi)數(shù)家知名高校、研究所、高新企業(yè),針對(duì)高、精、難(含非平面)項(xiàng)目要求進(jìn)行研磨工藝開(kāi)發(fā),且取得矚目成績(jī)。

a,光學(xué)元件研拋耗材特制
b,定制研拋設(shè)備工藝方案

○ 藍(lán)寶石拋磨最新工藝

○ DMP復(fù)合銅盤(pán)(4寸襯底特征)
切效率:1-1.2u/分鐘
粗糙度:8-13nm
切削液:水性類(lèi)多晶
1小時(shí)拿下鑄鐵盤(pán)雙拋后的跑壞層

○ CMP復(fù)合銅盤(pán)(DMP后拋光)
切效率:4-6u/小時(shí)
粗糙度:0.2-0.3 (AFM)
拋光液:二氧化硅(150nm)
2小時(shí)內(nèi)完成拋光

○ 光學(xué)玻璃拋光的克星2021快速研拋氧化鈰墊
本款拋光墊與傳統(tǒng)的氧化鈰聚氨酯相比有以下優(yōu)勢(shì):

a,切削率是傳統(tǒng)的- -倍又多,具備研磨拋光雙效能;
b,切削率自始至終是恒定的穩(wěn)定的,直至拋光墊耗盡;
c,2021型拋光墊不會(huì)隨著加工量的增加漸漸產(chǎn)生變軟、切削變鈍的現(xiàn)象,墊子邵氏硬度為93度。
(尺寸可以做到1500mm)

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